제3과목 4. 메모리 (ROM, RAM)
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4. 메모리 (ROM, RAM)
① RAM(Random Access Memory)
자료의 읽기, 쓰기, 변경 등이 자유로운 기억장치로서 전원이 끊어지면 기억된 내용이 사라지기 때문에 휘발성 메모리라고도 한다. 램의 용량이 크면 명령어와 데이터를 읽기 위해서 속도가 상대적으로 느린 보조기억장치를 자주 활용하지 않아도 되기 때문에 시스템 활용 속도가 빨라진다.
종류 : DRAM, SRAM, SDRAM, RDRAM, DDR-SDRAM
▣ SRAM과 DRAM
| SRAM(Static RAM) | DRAM(Dynamic RAM) |
소비 전력 | 많음 | 적음 |
집적도 | 낮음 | 높음 |
구조 | 복잡 | 단순 |
가격 | 비쌈 | 쌈 |
속도 | 빠름 | 느림 |
용도 | 캐시메모리 | PC의 주기억장치 |
■ RDRAM : Rambus DRAM - 일명 램버스램 : SDRAM을 대체할 목적으로 인텔에서 제작한 기억장치. 성능이 우수하나 상대적으로 고가임. DDR-SDRAM의 경쟁제품.
■ DDR-SDRAM : Double Data Rate-SDRAM - 그래픽카드 등에서 기존에 사용되었던 기억장치로서 RDRAM보다는 속도가 느리지만 SDRAM에 비해 2배 이상 속도가 빠르며 SDRAM과의 호환성은 RDRAM에 비해서 뛰어나다. 전체적으로 가격 대비 성능이 우수하다. 가격은 저렴하면서도 RDRAM에 비해 성능이 크게 뒤떨어지지 않음.
* Refresh - DRAM은 SRAM과는 달리 전원이 켜져 있는 상태에서도 일정한 시간이 지나면 전하가 방전된다. 따라서 데이터를 보존하기 위해서는 정기적으로 전류를 흐르게 해야 한다. 이를 Refresh라고 한다.
② ROM(Read Only Memory)
읽기만 가능한 기억소자로서 전원 공급이 끊어져도 내용이 소멸되지 않는다(비휘발성).
컴퓨터를 부팅하기 위한 최초 작업인 부트스트랩 로더라 불리는 초기화 프로그램(BIOS)은 ROM에 저장된다. (ROM BIOS)
초기의 ROM은 단어의 뜻 그대로 읽기만 가능했으나 추후 자료를 입력, 변경 등이 가능한 형태로 발전하였다.
MASK ROM 이후에 개발된 PROM, EPROM, EEPROM, Flash EEPROM 등은 MASK ROM과 달리 입력 또는 재입력이 가능한 롬들이다.
▣ ROM의 종류
마스크롬(Mask ROM) | 제조회사에서 내용을 미리 입력하여 제조하므로 내용을 고칠 수 없으나 대량생산에 적합함. |
PROM(Programmable ROM) | 내용이 저장되어 있지 않아 사용자가 한 번만 기록할 수 있다. |
EPROM(Erasable PROM) | 자외선을 이용하여 여러 번 변경 가능 |
EEPROM(Electrically EPROM) | 전기적인 방법을 이용하여 여러 번 변경 가능 |
플래시 EEPROM(Flash EEPROM) = 플래시 메모리 | EPROM의 작은 셀면적과 EEPROM의 전기적 소거가 가능하다는 장점을 조합하여 개발된 ROM의 한 형태로 데이터의 수정이 쉽고 기존의 ROM에 비해 읽기 쓰기 속도가 빠르다.(흔히 플래시 메모리 또는 USB 메모리라고 부른다) |